第110章 高主任面前,怎么我们都是问题？（3k）（2/3）

段工听到这一句，大喜，能问出这句话，证明高主任对于石墨渗硅，那是真懂的，他点点头：“对，加了，作为烧结助剂，氧化铝的加入能细化碳化硅晶粒，使碳化硅层更加致密。”

高振东不置可否，又问道：“碳颗粒粒径多大？”

“毫米，高密度。”

高振东道：“你们是考虑到小粒径高密度碳原料能增加致密度，提高强度？”

段工点点头：“高主任说得对，就是这么考虑的。”

又问了几个问题，高振东在脑袋里把自己看过的论文组织了一下，笑道：“段工，我有几个建议，你可以适当考虑。”

段工大喜，居然还有好几个建议，没白来啊这趟：“高主任，您说您说”。

“你们用的渗硅方法，的确不是最合适这种情况的方法，你们采用这种方法，硅化石墨碳化硅层有大量孔隙存在，SiC颗粒堆积疏松，强度自然不是特别好。”

“同时，你们这个办法，液态硅中的碳化硅浓度达到饱和后，会快速长大，最终在石墨基体表面形成一层较厚的碳化硅层。”

为什么高振东这么笃定？因为他前世论文里看到过这种方法产品的SEM（扫描电子显微镜）和XRD（X射线衍射）结果，这两种技术，都是能观察样品微观组织的，毫无疑问现在的碳研院，没有这个条件。

听见高振东找到了问题，段工先是一喜，然后又是一忧，光找出问题，没有办法也不够啊：“高主任，那用什么方法好？”

高振东道：“我的建议，是用液相渗硅的办法，这个办法在我看来，和你们现在使用的方法一样，具有操作简单、设备成本低、适合大批量生产等优点，与其他方法相比，这个办法也能较大程度保留石墨基体，有利于维持石墨的自润滑性和导热性能。”

“但是它相比你们现在使用的方法，最大的区别是它的硅化石墨的碳化硅主要存在于石墨空隙中，而不是像你们使用的方法一样在硅化石墨表面有一层较厚的碳化硅层，这层较厚的碳化硅层，应该就是热裂情况严重的元凶。”

这句话，高振东也是有依据的，国产SRM材料的公开论文中，就提到过仿制C-17δ过程中，解决的最大问题就是渗硅层过厚而产生的热裂问题，只是没有说用的什么手段。

在高振东看来，殊途同归，自己提的这个方案，应该也是能解决这个问题的。

段工一听大喜，行家一出手，就知有没有，这几句话句句打在要害上，一听真有新的工艺方法，连忙追问：“高主任，那你说的这个液相渗硅法，具体是怎么弄？”

高振东一点不藏私：“碳化硅和硅配比3:2作为硅源原料，反应温度1600℃，真空环境下反应，你看，是不是很简单？”

此话一出，段工差点没一笔杆子扔过去，对对对，你说得都对，是很简单。

不过想想，这个办法真的是很简单啊，甚至都想不出有什么能比这个更简单的了，如果能有效，那可就太好了，成本是真的低。

高振东没有给段工扔笔杆子的机会，继续说道：“这样，顺便能解决你们的第二个问题，氧化铝的使用问题。”

“氧化铝？”

“没错，氧化铝虽然理论上能细化 SiC晶粒，使碳化硅层更加致密，但实际上，氧化铝过量时反应会产生大量气体，这些气体逸出的时候，会破坏碳化硅层的致密性，对硅化石墨的性能产生不利影响，这也会降低你们成品的性能。”